2020年05月21日

限界をすり抜けて(公差=0.00000000000000000000000000000000001")

精密への果てなき道 シリンダーからナノメートルEUVチップへ
サイモン ウィンチェスター
早川書房
2019-08-20


最新の半導体製造に使われる露光装置はもはや可視光レーザーを使用しておらず、極端紫外線(EUV)を使用(波長13.5nm)する。一台200億円もするEUV露光装置を作れるのは、今のところオランダのASMLだけ。このため、かつてはCanonやNikonといった日本メーカーが頑張っていた露光装置市場はASMLが8割のシェアを持つまでになった。

EVUはプラズマから発生させるのだが、プラズマ発生装置を作っていたのがFOIという日本企業。2009年11月にマザーズ上場。7か月後の翌年5月に粉飾決算が発覚し、上場廃止→倒産してしまった。上場基準期の売上118億円が実は3億円もなかったという前代未聞の事件。当然、経営陣に加えて、監査法人と主幹事証券の責任が問われる事態となり、主幹事証券であったみずほインベスターズ証券はこれを機にみずほ証券に吸収され消滅した。

上場前に増資の仕事で会社訪問もしていた私は、そんななじみもあり、上場後に同社の株を個人で買っていた。当然、株式は無価値に。ビジネスをよく理解していない会社に投資してはいけないという悪い見本。

350:1947年ベル研究所
3人が考案したものにはまだ"transistor"という名前が付いていなかった。その言葉が使われるようになるのは1年後のこと。「transfer=信号を伝える」と「resistor=抵抗器」という電気的特性を兼ね備えていることから、その二つの単語を合体させて生まれた。

353:Fairchild Semiconductor 1957
平らなプレーナ型トランジスタ開発(ジャン・アメデー・ホーニ)→小型化
「ムーアの法則」

358:Intell 1968
Gordon Moore + Robert Noyce
1971世界初のマイクロプロセッサIntell4004(トランジスタ2300個)
日本の計算器メーカービジコン社のために開発→1年後値下げの代わりに一般販売を認める。

368:最新の露光装置はもはや可視光レーザーを使用しておらず、極端紫外線(EUV)を使用(波長13.5nm)←プラズマから発生


shikoku88 at 19:11コメント(0) |  | 投資 

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